서울 : 삼성 전자는 차세대 HBM4 고대역폭 메모리 제품 공급을 2026년 1분기부터 시작할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 HBM4 제품군에 초당 11.7기가비트(Gbps) 성능의 제품이 포함될 예정이며, 이를 통해 인공지능(AI) 서버 및 가속기에 사용되는 메모리 판매를 확대할 계획이라고 설명했다. 삼성전자는 초기 HBM4 공급 고객사나 출하량은 공개하지 않았다.
삼성전자는 2025년 4분기 및 연간 실적 발표에서 메모리 사업 부문이 HBM, 서버용 DDR5, 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등 고부가가치 제품 판매 증가에 힘입어 분기 매출과 영업이익 모두 사상 최고치를 기록했다고 밝혔습니다. 다만, 인공지능(AI) 컴퓨팅 수요 증가로 데이터센터용 고급 메모리 및 스토리지 소비가 지속적으로 늘어났음에도 불구하고 공급 부족이 여전히 실적 부진의 요인으로 작용했다고 덧붙였습니다.
고대역폭 메모리는 기존 DRAM에 비해 데이터 처리량을 향상시키도록 설계된 수직 적층형 DRAM 기술 이며, HBM4는 HBM3E의 후속 세대 기술입니다. 삼성은 실적 발표와 함께 배포된 투자자 설명회에서 11.7Gbps 버전을 포함한 HBM4 "양산품" 출시를 계획하고 있으며, HBM4의 "적시 출하"를 AI 관련 제품의 단기 전망의 핵심 요소로 언급했습니다.
AI 데이터센터 가속기 최대 공급업체인 엔비디아는 다양한 시스템 구성에서 HBM4를 사용하는 루빈(Rubin) 플랫폼을 출시했습니다. 엔비디아는 베라 루빈 NVL72 랙 스케일 시스템의 제품 사양 페이지에서 단일 루빈 GPU의 경우 20.7TB의 HBM4 메모리와 1,580TB/s의 대역폭, 그리고 288GB의 HBM4 메모리와 22TB/s의 대역폭을 제공한다고 명시했습니다. 다만, 이 수치는 예비 수치이며 변경될 수 있다고 덧붙였습니다.
Rubin 플랫폼 메모리 요구 사항
삼성은 실적 발표에서 AI 컴퓨팅과 관련된 첨단 반도체 제조 및 패키징 분야에서의 광범위한 사업 확장에 대해서도 언급했습니다. 파운드리 사업부에서 1세대 2나노미터 제품의 양산에 돌입했으며, 고대역폭 메모리 스택의 로직 레이어에 사용되는 4나노미터 HBM 베이스 다이 제품의 출하를 시작했다고 밝혔습니다. 삼성은 로직, 메모리 및 첨단 패키징 기술의 통합을 통해 최적화된 솔루션을 제공할 계획이라고 덧붙였습니다.
다른 주요 메모리 제조업체들도 HBM4 출시 일정을 발표했습니다. SK하이닉스는 2025년 9월 HBM4 개발 및 준비를 완료하고 양산 시스템을 구축했다고 밝혔습니다. 마이크론은 2025년 12월 투자자 설명회에서 11Gbps 이상의 속도를 지원하는 HBM4가 고객 플랫폼의 생산량 증대 계획에 맞춰 2026년 2분기에 높은 수율로 양산될 예정이라고 발표했습니다.
경쟁 HBM4 로드맵
마이크론은 자사의 HBM4 프로그램에 대해 설명하면서, HBM4는 자체 설계 및 제조한 베이스 로직 다이와 DRAM 다이에 첨단 CMOS 및 금속화 기술을 적용했으며, 성능 및 전력 목표 달성에 있어 패키징 및 테스트 역량이 매우 중요하다고 강조했습니다. SK하이닉스는 HBM4를 데이터센터 운영에서 대역폭과 전력 효율성이 핵심 요구 사항인 초고성능 AI를 위해 설계된 적층형 메모리의 차세대 기술이라고 설명했습니다.
삼성의 실적 발표 자료는 HBM4 공급 일정을 특정 AI 프로세서 프로그램이나 고객 구축과 연관시키지 않았습니다. 엔비디아의 루빈(Rubin) 발표 및 공개된 사양에서도 HBM4 공급업체는 명시되지 않았으며, 엔비디아는 루빈 시스템에 사용되는 HBM4의 공급업체 할당량도 공개하지 않았습니다. 삼성은 실적 발표 자료에서 HBM4 공급이 2026년 1분기 내에 시작될 것으로 확정했다고 밝혔습니다 . – 콘텐츠 신디케이션 서비스 제공
삼성, AI 붐에 맞춰 1분기 HBM4 납품 목표 설정 ( 본문은 UAE Gazette 에 게재됨)